SSD M.2 512Gb Patriot SP512GBP34A60M28
Характеристики
| ТипSSD-накопитель | Время наработки на отказ2000000 ч | ИнтерфейсM.2 (PCI Express 3.0 x 4) |
| Интерфейс подключенияM.2 (PCI Express 3.0 x 4) | КонтроллерSilicon Motion SM2263XT | Максимальная скорость записи1600 МБ/с |
| Максимальная скорость чтения2200 МБ/с | Объем памяти512 ГБ | Поддержка NVMeда |
Информация о доставке
Краткое описание
SSD M.2 накопитель Silicon Power P34A60 [SP512GBP34A60M28] отличается большой емкостью и станет отличным выбором для любых компьютеров, обеспечивая высокую скорость работы в самых разных задачах. В основе модели используются чипы памяти NAND с 3D-структурой, а также производительный микропроцессор, что вкупе с разъемом PCI-E 3.0 x4 позволяет достичь скорости записи и чтения до 1600 и 2200 МБ/с соответственно. Помимо этого диск отличается своей надежностью — рабочий ресурс достигает 300 TBW, а среднее время наработки на отказ составляет 2 млн ч.
Нашли дешевле?
Введите адрес доставки
Описание
SSD M.2 накопитель Silicon Power P34A60 [SP512GBP34A60M28] отличается большой емкостью и станет отличным выбором для любых компьютеров, обеспечивая высокую скорость работы в самых разных задачах. В основе модели используются чипы памяти NAND с 3D-структурой, а также производительный микропроцессор, что вкупе с разъемом PCI-E 3.0 x4 позволяет достичь скорости записи и чтения до 1600 и 2200 МБ/с соответственно. Помимо этого диск отличается своей надежностью — рабочий ресурс достигает 300 TBW, а среднее время наработки на отказ составляет 2 млн ч.
Технические характеристики SSD M.2 512Gb Patriot SP512GBP34A60M28
Основные характеристики
| Тип | SSD-накопитель |
|---|---|
| Время наработки на отказ | 2000000 ч |
| Интерфейс | M.2 (PCI Express 3.0 x 4) |
| Интерфейс подключения | M.2 (PCI Express 3.0 x 4) |
| Контроллер | Silicon Motion SM2263XT |
| Максимальная скорость записи | 1600 МБ/с |
| Максимальная скорость чтения | 2200 МБ/с |
| Объем памяти | 512 ГБ |
| Поддержка NVMe | да |
| Ресурс TBW | 300 ТБ |
| Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 250000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 240000 |
| Тип памяти | TLC 3D NAND |
| Ударостойкость | 1500 G |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Высота, мм | 3,5 |
| Глубина, мм | 80 |
| Ширина, мм | 22 |
| Вес, кг | 0,008 |
Отзывы 0