SSD 2,5" SATA 1Tb Samsung SATA-III MZ-77E1T0BW 870 EVO
Характеристики
| ТипSSD-накопитель | Буферная памятьLow Power DDR4 SDRAM | Время наработки на отказ1500000 ч |
| ИнтерфейсSATA 3 | Интерфейс подключенияSATA 3 | Максимальная скорость записи530 МБ/с |
| Максимальная скорость чтения560 МБ/с | Объем памяти1 ТБ | Поддержка TRIMда |
Информация о доставке
Краткое описание
SSD 2,5" SATA 1Tb Samsung SATA-III MZ-77E1T0BW 870 EVO отличается высокой производительностью, надежностью и совместимостью, отвечает всем требованиям любого создателя контента, IT профессионалам и обычным пользователям. Накопитель 870 EVO с интерфейсом SATA обеспечивает максимальные скорости последовательной записи/чтением порядка 560/530 MБ/с. Теперь каждый пользователь может воспользоваться SSD накопителем с производительностью профессионального уровня. Интеллектуальная технология записи Intelligent TurboWrite с увеличенным объемом изменяемого буфера позволяет повысить скорость записи и стабильность высоких рабочих характеристик.
Нашли дешевле?
Введите адрес доставки
Описание
SSD 2,5" SATA 1Tb Samsung SATA-III MZ-77E1T0BW 870 EVO отличается высокой производительностью, надежностью и совместимостью, отвечает всем требованиям любого создателя контента, IT профессионалам и обычным пользователям. Накопитель 870 EVO с интерфейсом SATA обеспечивает максимальные скорости последовательной записи/чтением порядка 560/530 MБ/с. Теперь каждый пользователь может воспользоваться SSD накопителем с производительностью профессионального уровня. Интеллектуальная технология записи Intelligent TurboWrite с увеличенным объемом изменяемого буфера позволяет повысить скорость записи и стабильность высоких рабочих характеристик.
Технические характеристики SSD 2,5" SATA 1Tb Samsung SATA-III MZ-77E1T0BW 870 EVO
Основные характеристики
| Тип | SSD-накопитель |
|---|---|
| Буферная память | Low Power DDR4 SDRAM |
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Интерфейс | SATA 3 |
| Интерфейс подключения | SATA 3 |
| Максимальная скорость записи | 530 МБ/с |
| Максимальная скорость чтения | 560 МБ/с |
| Объем памяти | 1 ТБ |
| Поддержка TRIM | да |
| Потребляемая мощность | 4 Вт |
| Потребляемая мощность в режиме ожидания | 0,03 Вт |
| Ресурс TBW | 600 Тб |
| Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 98000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 88000 |
| Тип памяти | V-NAND 3bit MLC |
| Ударостойкость | 1500 G |
| Форм-фактор | 2,5" |
Отзывы 0