SSD M.2 512 Gb Silicon Power SP512GBP34A60M28 2280 M-Series
Характеристики
ТипSSD-накопитель | Время наработки на отказ2000000 ч | ИнтерфейсM.2 (PCI Express 3.0 x 4) |
Интерфейс подключенияM.2 (PCI Express 3.0 x 4) | Контроллер Silicon Motion SM2263XT | Максимальная скорость записи1600 МБ/с |
Максимальная скорость чтения2200 МБ/с | Объем памяти512 ГБ | Поддержка NVMeда |
Информация о доставке
Краткое описание
512 ГБ SSD M.2 накопитель Silicon Power P34A60 [SP512GBP34A60M28] отличается большой емкостью и станет отличным выбором для любых компьютеров, обеспечивая высокую скорость работы в самых разных задачах. В основе модели используются чипы памяти NAND с 3D-структурой, а также производительный микропроцессор, что вкупе с разъемом PCI-E 3.0 x4 позволяет достичь скорости записи и чтения до 1600 и 2200 МБ/с соответственно. Помимо этого диск отличается своей надежностью — рабочий ресурс достигает 300 TBW, а среднее время наработки на отказ составляет 2 млн ч.
Нашли дешевле?
Введите адрес доставки
Описание
512 ГБ SSD M.2 накопитель Silicon Power P34A60 [SP512GBP34A60M28] отличается большой емкостью и станет отличным выбором для любых компьютеров, обеспечивая высокую скорость работы в самых разных задачах. В основе модели используются чипы памяти NAND с 3D-структурой, а также производительный микропроцессор, что вкупе с разъемом PCI-E 3.0 x4 позволяет достичь скорости записи и чтения до 1600 и 2200 МБ/с соответственно. Помимо этого диск отличается своей надежностью — рабочий ресурс достигает 300 TBW, а среднее время наработки на отказ составляет 2 млн ч.
Технические характеристики SSD M.2 512 Gb Silicon Power SP512GBP34A60M28 2280 M-Series
Основные характеристики
Тип | SSD-накопитель |
---|---|
Время наработки на отказ | 2000000 ч |
Интерфейс | M.2 (PCI Express 3.0 x 4) |
Интерфейс подключения | M.2 (PCI Express 3.0 x 4) |
Контроллер | Silicon Motion SM2263XT |
Максимальная скорость записи | 1600 МБ/с |
Максимальная скорость чтения | 2200 МБ/с |
Объем памяти | 512 ГБ |
Поддержка NVMe | да |
Ресурс TBW | 300 ТБ |
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 250000 |
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 240000 |
Тип памяти | TLC 3D NAND |
Ударостойкость | 1500 G/0,5 мс |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Высота, мм | 3,5 |
Глубина, мм | 80 |
Ширина, мм | 22 |
Вес, кг | 0,008 |
Отзывы 0