SSD M.2 512Gb Netac PCI-E 3.0 x4 2280 NT01N930E-512G-E4X N930E Pro
Характеристики
ТипSSD-накопитель | Время наработки на отказ1500000 ч | ИнтерфейсM.2 (PCI Express 3.0 x 4) |
Интерфейс подключенияM.2 (PCI Express 3.0 x 4) | КонтроллерSilicon Motion SM2263XT | Максимальная скорость записи1700 МБ/с |
Максимальная скорость чтения2080 МБ/с | Объем памяти512 ГБ | Поддержка NVMeда |
Информация о доставке
Краткое описание
SSD M.2 накопитель Netac N930E Pro [NT01N930E-512G-E4X] из профессиональной серии сочетает в себе производительность, стабильность и надежность высокого уровня. Он обеспечивает ускорение запуска приложений и общей производительности аппаратной платформы при выполнении различных вычислительных процессов.
...
...
Нашли дешевле?
Введите адрес доставки
Описание
SSD M.2 накопитель Netac N930E Pro [NT01N930E-512G-E4X] из профессиональной серии сочетает в себе производительность, стабильность и надежность высокого уровня. Он обеспечивает ускорение запуска приложений и общей производительности аппаратной платформы при выполнении различных вычислительных процессов.
Подключение твердотельного накопителя SSD Netac N930E Pro выполняется за счет интерфейса PCI-E 3.0 x4 при использовании разъема M.2. Для повышения стабильности в процессе функционирования запоминающего устройства реализована поддержка команды TRIM и спецификации NVMe.
Подключение твердотельного накопителя SSD Netac N930E Pro выполняется за счет интерфейса PCI-E 3.0 x4 при использовании разъема M.2. Для повышения стабильности в процессе функционирования запоминающего устройства реализована поддержка команды TRIM и спецификации NVMe.
Технические характеристики SSD M.2 512Gb Netac PCI-E 3.0 x4 2280 NT01N930E-512G-E4X N930E Pro
Основные характеристики
Тип | SSD-накопитель |
---|---|
Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Интерфейс | M.2 (PCI Express 3.0 x 4) |
Интерфейс подключения | M.2 (PCI Express 3.0 x 4) |
Контроллер | Silicon Motion SM2263XT |
Максимальная скорость записи | 1700 МБ/с |
Максимальная скорость чтения | 2080 МБ/с |
Объем памяти | 512 ГБ |
Поддержка NVMe | да |
Поддержка TRIM | да |
Ресурс TBW | 300 ТБ |
Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 200000 |
Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 200000 |
Тип памяти | TLC 3D NAND |
Ударостойкость | 1500 G |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Высота, мм | 23 |
Глубина, мм | 22 |
Ширина, мм | 80 |
Вес, кг | 0,008 |
Отзывы 0