SSD M.2 250Gb Samsung 860 EVO MZ-N6E250BW 2280
Рассрочка
Характеристики
| ТипSSD-накопитель | Время наработки на отказ1500000 ч | ИнтерфейсM.2 (SATA 3) |
| Интерфейс подключенияM.2 (SATA 3) | КонтроллерSamsung MJX | Максимальная скорость записи520 МБ/с |
| Максимальная скорость чтения550 МБ/с | Объем памяти1 ТБ | Поддержка TRIMда |
Информация о доставке
Краткое описание
M.2 накопитель Samsung 860 EVO относится к устройствам с интерфейсом подключения SATA III. Благодаря форм-фактору M.2 он отличается компактными размерами и широкой совместимостью с платформами. Объем 250 ГБ гарантирует размещение большого количества документов и прочих файлов.
...
...
Нашли дешевле?
Введите адрес доставки
Описание
M.2 накопитель Samsung 860 EVO относится к устройствам с интерфейсом подключения SATA III. Благодаря форм-фактору M.2 он отличается компактными размерами и широкой совместимостью с платформами. Объем 250 ГБ гарантирует размещение большого количества документов и прочих файлов.
В режиме чтения диск SSD обладает скоростью 550 Мбайт/сек и гарантирует прирост производительности всей системы. Структура памяти с ячейками TLC и буфер DRAM повышают стабильность в работе накопителя. Фирменное ПО Samsung Magician позволяет выполнять мониторинг устройства и управлять различными параметрами Samsung 860 EVO.
В режиме чтения диск SSD обладает скоростью 550 Мбайт/сек и гарантирует прирост производительности всей системы. Структура памяти с ячейками TLC и буфер DRAM повышают стабильность в работе накопителя. Фирменное ПО Samsung Magician позволяет выполнять мониторинг устройства и управлять различными параметрами Samsung 860 EVO.
Технические характеристики SSD M.2 250Gb Samsung 860 EVO MZ-N6E250BW 2280
Основные характеристики
| Тип | SSD-накопитель |
|---|---|
| Время наработки на отказ | 1500000 ч |
| Интерфейс | M.2 (SATA 3) |
| Интерфейс подключения | M.2 (SATA 3) |
| Контроллер | Samsung MJX |
| Максимальная скорость записи | 520 МБ/с |
| Максимальная скорость чтения | 550 МБ/с |
| Объем памяти | 1 ТБ |
| Поддержка TRIM | да |
| Потребляемая мощность | 4 Вт |
| Ресурс TBW | 150 ТБ |
| Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 97000 |
| Скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 88000 |
| Тип памяти | TLC 3D NAND (Samsung V-NAND 3 bit MLC) |
| Ударостойкость | 1500 G/0,5 мс |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Вес, кг | 0,008 |
Отзывы 0